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引用本文格式: 陈燕,郭辛,邓爱红. 基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜 的缺陷结构对比分析 [J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2015, 52: 1293~1296.
 
基非掺杂与掺Te的GaSb薄膜 的缺陷结构对比分析
The defect of undoped and Te doped GaSb based on GaAs substrate
摘要点击 830  全文点击 587  投稿时间:2015-05-18  
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DOI编号   
中文关键词   GaSb  正电子湮没;X射线衍射;原子力显微镜
英文关键词   GaSb  Positron annihilation  XRD  AFM
基金项目   国家自然科学基金(11275132); 绵阳师范学院自然科学基金(2014A11)
作者单位
陈燕 绵阳师范学院物理与电子工程学院 
郭辛 绵阳师范学院物理与电子工程学院 
邓爱红 四川大学物理科学与技术学院物理系 
中文摘要
    在GaAs单晶衬底上用分子束外延技术,采用相同工艺生长了非掺杂及掺Te的GaSb薄膜.以原子力显微镜、X射线衍射谱和正电子湮没谱技术对比分析了样品的结构及缺陷.研究表明,样品在掺Te后在界面处缺陷减少,外延生长较好.并分析其缺陷的产生机理.
英文摘要
    This paper presents the results of X ray diffraction spectra (XRD), atomic force microscopy (AFM) and positron annihilation Doppler broadening spectroscopy (PADB) measurements on the undoped and Te doped GaSb grown on the GaAs substrate by molecular beam epitaxy(MBE) under the same conditions. The structures and defect properties in the above nano materials have been described. The study shows that the defects of film doped with Te decrease. This result will be helpful to the epitaxial growth. Finally, the mechanism of defects is analyzed.

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