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环栅肖特基势垒MOSFET解析电流模型
An Analytical Drain Current Model for Surrounding-Gate Schottky Barrier MOSFET
摘要点击 142  全文点击 75  投稿时间:2015-09-03  修订日期:2015-10-01
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DOI编号   
中文关键词   金属氧化物半导体场效应晶体管  解析电流模型  拟合  肖特基势垒  环栅
英文关键词   Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor  Analytical drain current model  Fit  Schottky barrier  Surrounding-gate
基金项目   
作者单位E-mail
许立军 西安电子科技大学 61383150@qq.com 
张鹤鸣 西安电子科技大学  
杨晋勇 北京精密机电控制设备研究所  
中文摘要
    肖特基势垒金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)的电流一般需要通过载流子的费米狄拉克分布对能量积分来计算或自洽迭代数值计算,为降低其复杂性,本文采用若干拟合参数,考虑镜像力势垒降低效应、偶极子势垒降低效应和小尺寸下量子化效应对肖特基势垒高度的影响,给出了环栅肖特基势垒MOSFET一种新的解析电流模型。所提出的电流模型与文献报道实验数据符合较好,验证了模型的正确性,对环栅肖特基势垒MOSFET器件以及电路设计提供了一定的参考价值.
英文摘要
    The current of Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) is popularly calculated through the integration of Fermi-Dirac distribution for carrier over energy or self consistent iterative numerical calculation. In order to reduce the calculation complexity, this paper presents a new analytical drain current model for surrounding-gate Schottky barrier MOSFET through adopting several fitting parameters which takes into account for the impact on the Schottky barrier height of image force barrier lowering effect, dipole barrier lowering effect and quantum effect at smaller size. The proposed drain current model is in good agreement with the reported experimental data in the literature, which verifies the correctness of the model and can provide some reference for the design of surrounding-gate Schottky barrier MOSFET device and circuit.

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