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电子在掺杂GaAs/GaAlAs斐波那契量子阱中波函数和能量性质
The electronic energy properties of the doped GaAs/ GaAlAs fibonacci quantum wells structure
摘要点击 141  全文点击 47  投稿时间:2015-11-03  修订日期:2015-12-03
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DOI编号   
中文关键词   斐波那契量子阱结构  本征波函数  本征能量
英文关键词   the Fibonacci quantum wells structure  eigen-wavefunction  eigenenergy
基金项目   南京林业大学2015年度大学生创新训练计划项目(2015sjcx152)
作者单位E-mail
骆敏 南京林业大学理学院 luominnj@126.com 
程子恒 南京林业大学理学院  
包建阳 南京林业大学理学院  
朱克杰 安徽省肥东圣泉中学  
中文摘要
    本文利用转移矩阵和边界条件精确计算一维定态薛定谔方程,推导出一维斐波那契量子阱结构中电子波函数的计算条件。考虑了在势阱中掺杂的情况,并且认为势阱中掺杂仅仅只是改变势阱的宽度。在半导体材料的参数范围内,进一步研究了势阱宽度对一维掺杂斐波那契量子阱结构的电子能量本征值的影响。
英文摘要
    The eigen-wavefunction of the Fibonacci quantum well structure is presented based on an exact solution of the Schrodinger equation by using the transfer matrix approach and the boundary conditions. We consider the case where one of the potential well containing impurities for the Fibonacci quantum wells structure, and we think that the impurities merely changed the well width. For a selected range of parameters of semiconductor materials, the behavior of eigenenergy has been studied for the doped Fibonacci quantum well structure by changing the well width in the one of the potential well containing impurities.

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