首 页    学报简介    作者投稿    专家审稿    编辑办公    读者须知    联系我们
 
Si空位缺陷对β-FeSi2电子结构和光学性质的研究
Vacancies of Si Effects on Electronic Structure and Optical Properties of β-FeSi2
摘要点击 226  全文点击 66  投稿时间:2016-03-10  修订日期:2016-05-17
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
DOI编号   
中文关键词   β-FeSi2  第一性原理  空位  电子结构  光学特性  
英文关键词   β-FeSi2  first principle  vacancy  electronic structure  optical properties
基金项目   贵州省科学技术厅、安顺市人民政府、安顺学院联合基金资金资助[黔科合[LH字[2014]7507];贵州省高等学校航空电子电气与信息网络工程中心资助课题
作者单位E-mail
邓永荣 安顺学院 1624913851@qq.com 
闫万珺 安顺学院  
张春红 安顺学院贵州省高等学校航空电子电气与信息网络中心  
周士芸 安顺学院  
骆远征 安顺学院  
张在玉 安顺学院  
中文摘要
    采用基于密度泛函理论的赝势平面波方法对含Si空位的β-FeSi2 缺陷体系的几何结构、能带结构、态密度和光学性质进行计算。结果表明,Si空位引起了晶格结构发生畸变,能带变窄,在价带与导带之间形成一个独立能带,费米面整体向上发生微小偏移,形成了P型半导体。对光学性质的研究发现,由于Si空位的介入使其邻近原子电子结构发生变化, 静态介电常数 (0)增大; 的第一峰的位置向低能端移动,吸收系数发生微小红移。
英文摘要
    The defect geometry structure, band structure, density of states and optical properties are calculated in β-FeSi2 system and β-FeSi2 containing Si vacancies by density functional theory of potential plane wave method. The optimized results showed that Si vacancies result in the local lattice distortion, the narrower band gap and a new intermediate band between valence band and conduction band. The slight upward shift of Fermi surface due to Si vacancies leads β-FeSi2 to become a p-type semiconductor. The calculations of optical properties indicate that the electronic structure of adjacent atom is changed, the static dielectric constant ε1(0) increases, the highest peak of ε2 moves to a low-energy region and the tiny red shift of absorption coefficient takes place due to the Si vacancy .

您是第 2613608 位访问者

版权所有 @ 2007《四川大学学报 (自然科学版)》编辑部
地址: 四川省成都市武侯区四川大学经管楼506室  邮编: 610064
电话: (028)85410393  传真: (028)85410393  E-mail: scdx@scu.edu.cn
本系统由北京勤云科技发展有限公司设计