Cu/N共掺杂ZnS电子结构和光学性质的第一性原理计算
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O641

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国家自然科学基金


The first principles calculation on electronic structure and optical properties of Cu/N-codoped ZnS
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    摘要:

    采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了本征ZnS、N单掺杂、Cu-N共掺杂与Cu-2N共掺杂ZnS晶体的能带结构、电子态密度与光学性质。结果表明,Cu/N共掺杂体系降低了体系的带隙,增加了其光催化活性。对于Cu-2N掺杂,分析其态密度,发现共掺杂体系的总态密度在费米能级附近更加弥散,更多的态密度穿越费米能级,使共掺杂更容易获得p-型ZnS,同时费米能级附近的杂质态降低了跃迁能,使得共掺杂体系能有效提高其在可见光区的吸收系数。

    Abstract:

    Using the pseudo-potential plane-wave based on the density functional theory (DFT), the band structure, electron density of states and optical properties of intrinsic ZnS, N-, Cu -N and Cu-2 N co-doped ZnS were calculated. The calculation results show that the co-doped systems can reduce the band gap and enhance its Photocatalytic properties. According to the Analysis of the density of states, the co-doped system of Cu-2N make the state density become more diffuse, more state density through the Fermi level, which obviously led to formation of p-type ZnS. At some time, Cu/N co-doping greatly increase the absorption of visible region owing to the lower transition energy of co-doped systems .

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引用本文

引用本文格式: 王青,赵伟刚,戴剑锋,李维学. Cu/N共掺杂ZnS电子结构和光学性质的第一性原理计算[J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2018, 55: 1019.

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  • 收稿日期:2017-03-08
  • 最后修改日期:2017-04-05
  • 录用日期:2017-04-14
  • 在线发布日期: 2018-09-17
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