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引用本文格式: 祝祖送,尹训昌,张杰,易明芳,闻军. 放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响 [J]. 四川大学学报: 自然科学版, 2019, 56: 318~322.
 
放电功率对微晶硅薄膜的晶化调控及光电性质的影响
The effect of discharge power on crystallization control and photoelectric properties of microcrystalline silicon thin films
摘要点击 170  全文点击 46  投稿时间:2017-09-21  修订日期:2017-10-17
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DOI编号   
中文关键词   微晶硅薄膜  晶化控制  光电性质  电子特性
英文关键词   Microcrystalline silicon thin film  Crystallization control  Photoelectric properties  Electronic properties
基金项目   国家自然科学基金,省自然科学基金
作者单位E-mail
祝祖送 安庆师范大学 zszhu@aqnu.edu.cn 
尹训昌 安庆师范大学  
张杰 安庆师范大学  
易明芳 安庆师范大学  
闻军 安庆师范大学  
中文摘要
    以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在不同放电功率下沉积微晶硅薄膜, 通过调节放电功率实现了微晶硅薄膜的晶化调控和光电性质的优化, 并利用Langmuir探针和质谱计分别对等离子体空间的电子特性和中性基团进行在线检测, 初步探讨了成膜的微观机理.
英文摘要
    Microcrystalline silicon films were deposited, using H2 diluted SiCl4 gaseous mixture, by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technology under different discharge powers. The crystallization control and optimization of photoelectric properties of microcrystalline silicon thin films were realized by adjusting the discharge power. Morever, the electronic properties and the neutral radicals of the plasma space were detected online by the Langmuir probe and the mass spectrometer, respectively. The microscopic mechanism of film formation was also discussed preliminarily.

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